1. Trosolwg o Broses Gwahanu arsugniad
Mae arsugniad yn golygu pan fydd hylif (nwy neu hylif) mewn cysylltiad â sylwedd hydraidd solet, mae un neu fwy o gydrannau'r hylif yn cael eu trosglwyddo i wyneb allanol y sylwedd hydraidd ac arwyneb mewnol y micropores i gyfoethogi ar yr arwynebau hyn i ffurfio haen monomoleciwlaidd neu broses haen multimolecules.
Gelwir yr hylif sy'n cael ei arsugniad yn adsorbate, a gelwir y gronynnau solet mandyllog eu hunain yn adsorbent.
Oherwydd gwahanol briodweddau ffisegol a chemegol yr adsorbate a'r adsorbent, mae gallu arsugniad yr adsorbent ar gyfer gwahanol adsorbadau hefyd yn wahanol.Gyda detholusrwydd arsugniad uchel, gellir cyfoethogi cydrannau'r cyfnod arsugniad a'r cyfnod amsugno, er mwyn gwireddu gwahaniad sylweddau.
2. arsugniad/proses desorption
Proses arsugniad: Gellir ei ystyried fel proses o ganolbwyntio neu fel proses hylifedd.Felly, po isaf yw'r tymheredd a'r uchaf yw'r pwysau, y mwyaf yw'r gallu arsugniad.Ar gyfer pob arsugniad, y hawsaf hylifedig (pwynt berwi uwch) nwyon sy'n amsugno mwy, a'r nwyon llai hylifadwy (pwynt berwi is) sy'n cael eu hamsugno'n is.
Proses dadsugniad: Gellir ei ystyried fel proses o nwyeiddio neu anweddoli.Felly, po uchaf yw'r tymheredd a'r isaf yw'r pwysedd, y mwyaf cyflawn yw'r dadsugniad.Ar gyfer pob sorbent, mae nwyon mwy hylifedig (berwbwynt uwch) yn llai tebygol o ddadsugniad, ac mae nwyon llai hylifadwy (berwbwynt is) yn haws eu dadsugno.
3. Yr egwyddor o wahanu arsugniad a'i ddosbarthiad
Rhennir arsugniad yn arsugniad corfforol ac arsugniad cemegol.
Egwyddor gwahanu arsugniad corfforol: Cyflawnir gwahaniad trwy ddefnyddio'r gwahaniaeth yn y grym arsugniad (grym van der Waals, grym electrostatig) rhwng atomau neu grwpiau ar yr wyneb solet a moleciwlau tramor.Mae maint y grym arsugniad yn gysylltiedig â phriodweddau'r adsorbent a'r arsugniad.
Mae'r egwyddor o wahanu arsugniad cemegol yn seiliedig ar y broses arsugniad lle mae adwaith cemegol yn digwydd ar wyneb arsugniad solet i gyfuno'r adsorbate a'r adsorbent â bond cemegol, felly mae'r detholedd yn gryf.Yn gyffredinol, mae cemeg yn araf, dim ond un haen y gall ffurfio ac mae'n anghildroadwy.
4. Mathau Adsorbent Cyffredin
Mae arsugnyddion cyffredin yn bennaf yn cynnwys: rhidyllau moleciwlaidd, carbon wedi'i actifadu, gel silica, ac alwmina wedi'i actifadu.
Rhidyll moleciwlaidd: Mae ganddo strwythur sianel micromandyllog rheolaidd, gydag arwynebedd penodol o tua 500-1000m² / g, micropores yn bennaf, ac mae'r dosbarthiad maint mandwll rhwng 0.4-1nm.Gellir newid nodweddion arsugniad rhidyllau moleciwlaidd trwy addasu strwythur y rhidyll moleciwlaidd, y cyfansoddiad a'r math o wrth-gasiynau.Mae rhidyllau moleciwlaidd yn dibynnu'n bennaf ar y strwythur mandwll nodweddiadol a maes grym Coulomb rhwng y cation cytbwys a'r fframwaith rhidyll moleciwlaidd i gynhyrchu arsugniad.Mae ganddynt sefydlogrwydd thermol a hydrothermol da ac fe'u defnyddir yn helaeth wrth wahanu a phuro gwahanol gyfnodau nwy a hylif.Mae gan yr adsorbent nodweddion detholusrwydd cryf, dyfnder arsugniad uchel a chynhwysedd arsugniad mawr pan gaiff ei ddefnyddio;
Carbon wedi'i actifadu: Mae ganddo strwythur micropore a mesopore cyfoethog, mae'r arwynebedd arwyneb penodol tua 500-1000m² / g, ac mae'r dosbarthiad maint mandwll yn bennaf yn yr ystod o 2-50nm.Mae carbon wedi'i actifadu yn dibynnu'n bennaf ar rym van der Waals a gynhyrchir gan yr adsorbate i gynhyrchu arsugniad, ac fe'i defnyddir yn bennaf ar gyfer arsugniad cyfansoddion organig, arsugniad a thynnu deunydd organig hydrocarbon trwm, diaroglydd, ac ati;
Gel silica: Mae arwynebedd arwyneb penodol arsugnyddion gel silica tua 300-500m² / g, yn mesoporaidd yn bennaf, gyda dosbarthiad maint mandwll o 2-50nm, ac mae arwyneb mewnol y mandyllau yn gyfoethog mewn grwpiau hydroxyl arwyneb.Fe'i defnyddir yn bennaf ar gyfer sychu arsugniad ac arsugniad swing pwysau i gynhyrchu CO₂, ac ati;
Alwmina wedi'i actifadu: Yr arwynebedd arwyneb penodol yw 200-500m² / g, mesoporau yn bennaf, a dosbarthiad maint mandwll yw 2-50nm.Fe'i defnyddir yn bennaf mewn sychu a dadhydradu, puro nwy gwastraff asid, ac ati.
